標準信息
標準號:GB/T 41765-2022
標準名稱:碳化硅單晶位錯密度的測試方法
發布日期:2022-10-14
實施日期:2023-05-01
批發部門:國家標準化管理委員會
歸口單位:全國半導體設備和材料標準化技術委員會
起草單位:北京天科合達半導體股份有限公司、有色金屬技術經濟研究院有限責任公司
起草人:彭同華、佘宗靜、趙寧、王波、李素青、婁艷芳、王大軍、郭鈺、楊建
標準簡介
本文件規定了碳化硅單晶位錯密度的測試方法。
本文件適用于晶面偏離{0001}面、偏向{1120}方向0°~8°的碳化硅單晶位錯密度的測試。
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檢測優勢
檢測資質(部分)
檢測流程
1、中析檢測收到客戶的檢測需求委托。
2、確立檢測目標和檢測需求
3、所在實驗室檢測工程師進行報價。
4、客戶前期寄樣,將樣品寄送到相關實驗室。
5、工程師對樣品進行樣品初檢、入庫以及編號處理。
6、確認檢測需求,簽定保密協議書,保護客戶隱私。
7、成立對應檢測小組,為客戶安排檢測項目及試驗。
8、7-15個工作日完成試驗,具體日期請依據工程師提供的日期為準。
9、工程師整理檢測結果和數據,出具檢測報告書。
10、將報告以郵遞、傳真、電子郵件等方式送至客戶手中。
檢測優勢
1、旗下實驗室用于CMA/CNAS/ISO等資質、高新技術企業等多項榮譽證書。
2、檢測數據庫知識儲備大,檢測經驗豐富。
3、檢測周期短,檢測費用低。
4、可依據客戶需求定制試驗計劃。
5、檢測設備齊全,實驗室體系完整
6、檢測工程師 知識過硬,檢測經驗豐富。
7、可以運用36種語言編寫MSDS報告服務。
8、多家實驗室分支,支持上門取樣或寄樣檢測服務。
檢測實驗室(部分)
結語
以上為GB/T 41765-2022 碳化硅單晶位錯密度的測試方法的檢測服務介紹,如有其他疑問可聯系在線工程師!
















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