檢測信息（部分）

Q1：什么是寬禁帶半導體材料？ A1：寬禁帶半導體材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導體材料，主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）等。這類材料具有高擊穿電場、高熱導率和高電子飽和漂移速度等優異特性。 Q2：寬禁帶半導體材料的主要用途是什么？ A2：寬禁帶半導體材料廣泛應用于電力電子、射頻器件、光電子器件、新能源汽車、5G通信、航空航天等領域，尤其在高溫、高壓、高頻率環境下表現突出。 Q3：寬禁帶半導體材料的檢測概要包括哪些內容？ A3：檢測主要包括材料成分分析、晶體結構表征、電學性能測試、熱學性能測試、光學性能測試以及缺陷分析等，確保材料符合行業標準和應用需求。

檢測項目（部分）

• 禁帶寬度：表征材料的電子能帶結構，決定其光學和電學性能。
• 載流子濃度：反映材料中自由電子或空穴的密度，影響導電性能。
• 遷移率：衡量載流子在電場作用下的運動能力，決定器件響應速度。
• 擊穿電場：材料在電場作用下發生擊穿的臨界值，反映其耐壓能力。
• 熱導率：表征材料傳導熱量的能力，影響器件的散熱性能。
• 介電常數：反映材料在電場中的極化能力，影響電容特性。
• 缺陷密度：材料中晶體缺陷的濃度，影響器件可靠性和壽命。
• 表面粗糙度：材料表面的平整度，影響器件接觸性能和光學特性。
• 晶體取向：晶體的生長方向，影響材料的各向異性性能。
• 應力分布：材料內部的應力狀態，影響器件的機械穩定性。
• 光學透過率：材料對特定波長光的透過能力，用于光電器件評估。
• 熒光光譜：分析材料的發光特性，用于缺陷和雜質研究。
• 霍爾效應：測量載流子類型和濃度的重要方法。
• 深能級瞬態譜（DLTS）：用于分析材料中的深能級缺陷。
• X射線衍射（XRD）：表征材料的晶體結構和相組成。
• 掃描電子顯微鏡（SEM）：觀察材料表面形貌和微觀結構。
• 原子力顯微鏡（AFM）：高分辨率表面形貌和力學性能分析。
• 拉曼光譜：研究材料的晶格振動模式和應力狀態。
• 二次離子質譜（SIMS）：高靈敏度成分分析和雜質檢測。
• 熱重分析（TGA）：評估材料的熱穩定性和分解行為。

檢測范圍（部分）

• 碳化硅（SiC）單晶
• 氮化鎵（GaN）外延片
• 氧化鋅（ZnO）薄膜
• 金剛石半導體材料
• 氮化鋁（AlN）襯底
• 氮化硼（BN）薄膜
• 硅基GaN器件
• 碳化硅功率器件
• GaN射頻器件
• ZnO透明導電薄膜
• SiC肖特基二極管
• GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）
• SiC MOSFET
• GaN激光二極管
• ZnO紫外探測器
• 金剛石熱沉片
• AlN模板
• BN散熱襯底
• SiC晶圓
• GaN-on-Si外延片

檢測儀器（部分）

• X射線衍射儀（XRD）
• 掃描電子顯微鏡（SEM）
• 透射電子顯微鏡（TEM）
• 原子力顯微鏡（AFM）
• 霍爾效應測試系統
• 深能級瞬態譜儀（DLTS）
• 拉曼光譜儀
• 二次離子質譜儀（SIMS）
• 熒光光譜儀
• 熱重分析儀（TGA）

檢測優勢

檢測資質（部分）

檢測流程

1、中析檢測收到客戶的檢測需求委托。

2、確立檢測目標和檢測需求

3、所在實驗室檢測工程師進行報價。

4、客戶前期寄樣，將樣品寄送到相關實驗室。

5、工程師對樣品進行樣品初檢、入庫以及編號處理。

6、確認檢測需求，簽定保密協議書，保護客戶隱私。

7、成立對應檢測小組，為客戶安排檢測項目及試驗。

8、7-15個工作日完成試驗，具體日期請依據工程師提供的日期為準。

9、工程師整理檢測結果和數據，出具檢測報告書。

10、將報告以郵遞、傳真、電子郵件等方式送至客戶手中。

檢測優勢

1、旗下實驗室用于CMA/CNAS/ISO等資質、高新技術企業等多項榮譽證書。

2、檢測數據庫知識儲備大，檢測經驗豐富。

3、檢測周期短，檢測費用低。

4、可依據客戶需求定制試驗計劃。

5、檢測設備齊全，實驗室體系完整

6、檢測工程師 知識過硬，檢測經驗豐富。

7、可以運用36種語言編寫MSDS報告服務。

8、多家實驗室分支，支持上門取樣或寄樣檢測服務。

檢測實驗室（部分）

結語

以上為寬禁帶半導體材料檢測的檢測服務介紹,如有其他疑問可聯系在線工程師！